Electronic Devices · Digital lecture note
Weeks 11 and 12 – MOSFET
Elektronik Elemanlar – 11. ve 12. Hafta – MOSFET
- Course
- Electronic Devices (ELM231)
- Semester
- Semester 3 · Fall 2022–23
- Format
- PDF · 12 pages · 0.9 MB · handwriting-style LaTeX
- Language
- Turkish
- Original note
- elektronik-elemanlar-11-ve-12.hafta.pdf
Open the PDF (0.9 MB)LaTeX source (.tex)Original handwritten note
What is in this note?
Section headings of the note (in Turkish):
- 11. hafta
- Triode
- Sat
- Deep triode
- Örnek
- 12. hafta
- Comparison of the Mosfet and the BJT
- Table 6.3
- Small signal
- JFET → Junction field effect transistor
Text of the note
Show as plain text (Turkish; formulas and drawings are not included)
(Sol kenarda yuvarlak içine alınmış iki kısa not: , .)
(İki koşul kutusu çizgilerle aşağıdaki ``At the edge of saturation'' ifadesine bağlanmış.)
At the edge of saturation
(azaldı, grafiğe bak)
c) MOSFET → as a linear amplifier → (sat)
Comparison of the Mosfet and the BJT
Typical values of CMOS device parameters
(65 nm sütununun PMOS kısmı sayfa kenarında kalmış, görünmüyor.)
μ satırından ok: → NMOS'ta hep daha büyüktür çünkü taşıyıcı olarak
Üstte silik kurşun kalem notu:
Sol üst köşede silik not:
JFET → Junction field effect transistor
Saturation (pinch off) V_P ≤ V_GS < 0
* Claude notu: muhtemelen R_G1 = 2x , R_G2 = x olmalı (aşağıdaki sonuç değerleriyle uyumlu).