Diode circuits, BJT, introduction to MOSFET (pp. 21–40)

(Doğrultucu ) (constant voltage drop model)

PIV: Peak inverse Diode voltage (Diyot ters gerilimin tepe değeri)

PIV: V_s ⇒ nasıl bulunur, diyot kesimdeyken

In positive cycle D_2 is off

N_1 ve N_2 sarım sayısı

noktalar aynı yerde ise 1. denklem artı,

akımlar aynı noktadan çıkıyorsa 2. -

The bridge rectifier

Block diagram of a dc power supply

(Başlığın altında okunamayan küçük bir not: .)

The rectifier with a filter capacitor: The peak rectifier

Limiting and Clamping Circuit

Limiting occurs when the diodes are conducting

(Sayfanın en üstünde silik küçük bir not: ``zener diyot diyotun ''.)

The clamped Capacitor or DC restorer

The voltage Doubler

Special Diode Types

The Schottky Barrier Diode (SBD)

→ power supply (switched mode)

Tunnel Diode (Esaki Diode)

→ Voltage variable capacitors

Light Photo Diode Electrical signal

Electrical LED Light

(Sayfanın en üstünde ortada silik küçük bir başlık: .)

Bipolar Junction Transistor (BJT)

(Başlığın altında silik küçük notlar: ; .)

BJT Modes of Operation

(Kırmızı bir parantez Cut off ve Saturation satırlarını bu nota bağlıyor.)

Elektrik alanın etkisiyle i_E > i_C V_CB > V_BE

p bölgesinde recombinasyonu önlemek için çok küçük

akım yönü elektron hareketiyle ters, boşluk hareketiyle aynı yönde

I_B=I_Cβ → Common Emitter Current Gain

p bölgesinde az katkılama yapılır böylece boşluk sayısı az olur ve recombinasyonun önüne geçer.

A_E = Base Emitter Junction Cross sectional Area

W = Effective Base Width.

(Sol kenarda mavi, altı çizili: .)

BJT Large Signal Equivalent models in Forward Active

npn transistor V_T = 25 mV

aynı koşulları sağlayan kaç olmalıdır akım kaynağı yerine

Operation in the saturation mode

V_CE sat = 0,3 V at the edge of saturation

(Sayfa üstünde, altı çizili: ``ders 7''.)

(Sol kenarda küçük, altı çizili: ``Sayfa 321''.)

Base gerilimi referans alırsak 0,4 V aşağına düşmesini Aktif mod için sayabiliriz. Daha fazla düşerse saturasyon olur.

aktif çıkmazsa göre çözmek lazım ve V_CE sat 'ı belirlemek lazım V_CE = 0,2 V

(Süslü parantezin altında silik küçük bir not: .)

at the edge of saturation

deep saturation β_forced = 10

b) at the edge of sat

c) deep saturation → β_force = 10

(Başlığın solunda küçük, altı çizili bir sayı: .)

BJT Circuits at DC

V_CE Aktif o zaman yanlışClaude notu: el yazısında bu satırdaki rakamlar tam okunamadı (1,6 ya da 1,61; sonuç yaklaşık 2,4–2,5 V).

( I_B,C,E ifadesinin altında küçük bir ``0'' yazıyor.)

0,7- aktif mod değil

(Başlığın altında mavi, altı çizili: ``sf: 345''.)

(Çizimin altında altı çizili iki satırlık not: .)

akım söylediğiniz yönde çıkmadı

(Metal oxide semiconductor field effect Transistor)

(Sol kenarda oval içinde küçük bir not: .)

Source ve drain yer değiştirebilir çünkü simetriktir.

(Sağ tarafta altı çizili bir başlık: .)

Unipolar tek kutupludur

Enhancement → kanal oluşmalı

Threshold Voltage (Eşik seviyesi)

V_GS 'ye uygulanmalı → V_t , V_TH

karışmamalı: V_T = kT/q (farklı)