Elektronik Elemanlar · Dijital ders notu
MOSFET: kanal, i–v karakteristiği, çalışma bölgeleri (s. 41–46)
- Ders
- Elektronik Elemanlar (ELM231)
- Dönem
- 3. Dönem · 2022–2023 Güz
- Biçim
- PDF · 8 sayfa · 1,4 MB · el yazısı görünümlü LaTeX
- Orijinal not
- Elektronik-elemanlar-notlarim.pdf
Uyarı: Dijital notlar, el yazısı notlardan Claude (Anthropic) yardımıyla oluşturulmuştur; yardımcı kaynak olarak hazırlanmıştır ve hata içerebilir. Orijinal notları ve resmi ders kaynaklarını esas alın.
The digital notes were created from the handwritten notes with the help of Claude (Anthropic); they are meant as a supplementary resource and may contain errors. Always rely on the original notes and the official course materials.
The digital notes were created from the handwritten notes with the help of Claude (Anthropic); they are meant as a supplementary resource and may contain errors. Always rely on the original notes and the official course materials.
Bu notta neler var?
- Applying some v_DS
- Table 5.1 (266)Table 5.1 (266)
Notun metni
Düz metin olarak göster (formüller ve çizimler yoktur)
C_ox = Oxide capacitance of the device
Applying some v_DS
Deep triode Region
Not (sağ üstte, ok ile (1+λ v_DS) terimine işaret ediyor): ``Channel length modulation (kanal boyu modülasyonu)''Satırların sonu 43. sayfa fotoğrafında kesilmiş; devamı 44. sayfa fotoğrafının sol kenarında kısmen görülüyor.
b) needed to operate the transistor in the sat. region → I_D = 100 μA
c) (b) deki transistör için V_OV ve V_GS gerilimlerini hesaplayınız
c) Transistor in deep triode region
pmos + nmos → cmos → mos
V_GS < V_TH → no channel, transistor in cutoff
V_GS = V_TH + V_OV – a channel is induced → triode or saturation